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百货(C)VTC过程不同阶段的分子几何结构和能量分布图。全部期(B)通过VTC方法制备g-CN薄膜的生长过程。在Adv.Mater.、玩意Adv.Sci.、NanoToday等期刊发表论文30余篇,申请/授权国家发明专利9件。

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图二、百货2Dg-CN薄膜的晶圆级生长(A)在石英、FTO玻璃和硅片基底上生长的g-CN薄膜的光学照片。全部期近年来一直在从事宽禁带半导体光电材料与器件研究。

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图三、玩意g-CN薄膜的表征(A)不同厚度g-CN薄膜的照片和相应的AFM图像。

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